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SVF4N65RM圖片

SVF4N65RM
元件品牌:SILAN士蘭微
元件型號:SVF4N65RM
封裝:TO-251
參數:4A 650V MOS管
全新原裝正品保障,質量是企業的生命!
采購數量:
 

產品介紹

SVF4N65RM是SILAN士蘭微的一款4A 650V MOS管,東森微電子是士蘭微代理商,常備SVF4N65RM庫存,并可提供相應技術支持對接.歡迎采購.

SVF4N65RM: N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動。
特點
∗ 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V
∗ 低柵極電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開關速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

 

 極限參數(除非特殊說明,TC=25°C)  參數名稱  符號  參 數 范 圍  
SVF4N65AT  SVF4N65AF  SVF4N65AD  
漏源電壓  VDS 650  
柵源電壓  VGS ±30  
漏極電流  TC= 25°C  ID 4.0  
TC= 100°C  2.53  
漏極脈沖電流  IDM 16.0  
耗散功率(TC=25°C)   - 大于25°C每攝氏度減少  PD 110  39  90  
0.88  0.31  0.72  
單脈沖雪崩能量(注 1)  EAS 235  
工作結溫范圍  TJ -55~+150  
貯存溫度范圍  Tstg -55~+150  

我司不但為您提供可靠的SVF4N65RMMOS管|IGBT|模塊,還可提供SVF4N65RM應用資料、各類證書及產品研發技術支持!
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